因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見(jiàn)諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

結(jié)溫性能檢測(cè)體系包含五大核心測(cè)試模塊：

穩(wěn)態(tài)熱阻（RthJC/RthJA）測(cè)試：測(cè)量器件結(jié)到外殼/環(huán)境的熱傳導(dǎo)效率

瞬態(tài)熱阻抗（Zth）特性分析：獲取器件在脈沖工況下的動(dòng)態(tài)溫度響應(yīng)曲線

溫度循環(huán)（ΔTj）耐受性驗(yàn)證：評(píng)估器件在極端溫差條件下的結(jié)構(gòu)可靠性

熱失控臨界點(diǎn)測(cè)定：確定器件發(fā)生不可逆熱失效的邊界條件

結(jié)殼溫差（Tj-Tc）分布測(cè)繪：建立三維溫度場(chǎng)模型分析熱分布均勻性

檢測(cè)范圍

本檢測(cè)體系適用于以下電子器件類別：

功率半導(dǎo)體器件：IGBT模塊、MOSFET、SiC/GaN器件等

光電轉(zhuǎn)換器件：LED芯片組、激光二極管陣列

集成電路：CPU/GPU處理器、電源管理IC

電力電子裝置：變頻器模塊、整流橋堆

新能源組件：光伏逆變器、車載充電模塊

測(cè)試條件覆蓋-55℃~200℃環(huán)境溫度范圍及10A~5000A電流等級(jí)，滿足MIL-STD-883H軍標(biāo)與AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證要求。

檢測(cè)方法

依據(jù)JEDEC JESD51-1標(biāo)準(zhǔn)框架實(shí)施規(guī)范化測(cè)試：

電學(xué)法（K系數(shù)法）：通過(guò)正向壓降Vf的溫度敏感性建立Tj-Vf校準(zhǔn)曲線

紅外熱成像法：采用3-5μm波段紅外相機(jī)進(jìn)行非接觸式表面溫度測(cè)繪

光纖光柵傳感法：植入式FBG傳感器實(shí)現(xiàn)μ級(jí)空間分辨率溫度監(jiān)測(cè)

瞬態(tài)雙界面法（TDIM）：基于結(jié)構(gòu)函數(shù)理論解析封裝材料熱特性參數(shù)

加速壽命試驗(yàn)（ALT）：應(yīng)用Coffin-Manson模型進(jìn)行溫度循環(huán)加速老化驗(yàn)證

檢測(cè)儀器

標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室配置以下正規(guī)設(shè)備系統(tǒng)：

熱阻測(cè)試平臺(tái)：集成高精度程控電源（±0.05%精度）與納伏級(jí)電壓測(cè)量單元

紅外熱像系統(tǒng)：配備5μm空間分辨率制冷型紅外焦平面探測(cè)器

動(dòng)態(tài)響應(yīng)分析儀

環(huán)境模擬箱

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

有限元仿真平臺(tái)

所有儀器均通過(guò)NIST可溯源校準(zhǔn)認(rèn)證，測(cè)量不確定度控制在±0.5℃以內(nèi)。

檢測(cè)流程

1、咨詢：提品資料(說(shuō)明書、規(guī)格書等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件