因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

芯片防靜電能力核心檢測包含三大基礎(chǔ)模型驗證：人體放電模型（HBM）測試模擬人體接觸場景下的靜電沖擊耐受度；機(jī)器放電模型（MM）評估自動化生產(chǎn)環(huán)境中的靜電風(fēng)險；充電器件模型（CDM）驗證芯片封裝后表面電荷積累引發(fā)的失效閾值。擴(kuò)展項目涵蓋傳輸線脈沖（TLP）特性分析、閂鎖效應(yīng)（Latch-up）測試及靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)參數(shù)驗證。

檢測范圍

適用于各類半導(dǎo)體器件：包括邏輯芯片（CPU/GPU）、存儲芯片（DRAM/Flash）、模擬芯片（ADC/DAC）及射頻器件。覆蓋晶圓級測試、封裝成品測試及系統(tǒng)級模組驗證三個階段。特殊應(yīng)用場景需擴(kuò)展至汽車電子AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、工業(yè)設(shè)備IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)及軍工級MIL-STD-883規(guī)范要求的極限條件測試。

檢測方法

HBM測試依據(jù)JESD22-A114標(biāo)準(zhǔn)建立等效電路模型，通過分級施加100ns脈沖驗證失效電壓閾值；CDM測試采用JESD22-C101E規(guī)范搭建非接觸式放電平臺；TLP分析使用10ns~200ns可調(diào)脈沖寬度獲取器件I-V特性曲線；閂鎖效應(yīng)測試依據(jù)JESD78D標(biāo)準(zhǔn)施加過載電流監(jiān)測熱失控臨界點。所有測試需在23±3℃/45±10%RH標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境執(zhí)行三次重復(fù)驗證。

檢測儀器

基礎(chǔ)設(shè)備包含ESD模擬器（滿足0.1-30kV可調(diào)輸出）、靜電放電測試臺（絕緣阻抗≥1×1013Ω）、高精度示波器（帶寬≥6GHz）。進(jìn)階配置需采用TLP脈沖發(fā)生器（上升時間＜1ns）、熱成像儀（分辨率≤15μm）、IV特性分析儀（電流分辨率1pA）。晶圓級測試須配備探針臺（定位精度±0.5μm）與真空吸附系統(tǒng)（壓力范圍10?3~10?Pa）。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認(rèn)檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進(jìn)行樣品檢測

6、檢測出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報告草件，確認(rèn)信息是否無誤

7、確認(rèn)完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件